Infineon N沟道 增强型 功率晶体管, Vds=650 V, 30 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 9引脚, IGLT65R110B2AUMA1, CoolGaN系列
- RS 库存编号:
- 762-901
- 制造商零件编号:
- IGLT65R110B2AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB52.86 |
| 10 - 49 | RMB42.86 |
| 50 - 99 | RMB32.76 |
| 100 + | RMB26.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-901
- 制造商零件编号:
- IGLT65R110B2AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 系列 | CoolGaN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 140mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 55W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.61nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -10V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
系列 CoolGaN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 140mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 55W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.61nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs -10V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 10.1mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 10.3mm | ||
高度 2.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolGaN双向开关 (BDS) 采用氮化镓技术,可在两个方向提供高效的电压阻断。它集成了基材电压控制,可简化各种工业应用的设计。IGLT65R110B2型号采用TOLT封装,针对高功率密度进行了优化。
针对软开关操作进行了优化
双门,实现独立双向功能
卓越性能
适用于多种工业应用