Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 46 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IMW40R036M2HXKSA1, CoolSiC系列

N
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762-905
制造商零件编号:
IMW40R036M2HXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

400V

系列

CoolSiC

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

36.5mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

25 V

最大功耗 Pd

139W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

正向电压 Vf

4.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

长度

20.8mm

宽度

15.7 mm

高度

4.83mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET特别适用于高频开关和同步整流,并具有基准栅极阈值电压。此外,它还采用XT互连技术,实现了同类最佳的热性能。

100% 雪崩测试

推荐门驱动电压

符合工业应用标准

用于储能、UPS 和电池形成