Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 26.6 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, IMZA65R075M2HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 762-920
- 制造商零件编号:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥43.45
(不含税)
¥49.10
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB43.45 |
| 10 - 49 | RMB35.21 |
| 50 - 99 | RMB26.97 |
| 100 + | RMB21.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-920
- 制造商零件编号:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | TO-247-4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 95mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 111W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 21.1mm | |
| 宽度 | 13.5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26.6A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 TO-247-4 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 95mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 111W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 5.1mm | ||
长度 21.1mm | ||
宽度 13.5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它可实现成本效益高、效率高、简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
开关损耗极低
增强系统稳健性和可靠性
便于使用和集成
减少系统的尺寸、重量和材料成本