Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 74 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IMLT65R075M2HXTMA1, CoolSiC系列

N
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762-921
制造商零件编号:
IMLT65R075M2HXTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N 沟道

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

74A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PG-HDSOP-16

系列

CoolSiC

安装类型

表面安装

引脚数目

16

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

187W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

4.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

高度

15.2mm

宽度

2.35 mm

长度

10.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC MOSFET提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它可实现成本效益高、效率高、简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

开关损耗极低

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便于使用和集成

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