Infineon N沟道 功率 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 带装和卷装, 表面安装, 4引脚, IPQC65R017CFD7XTMA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 762-939
- 制造商零件编号:
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 762-939
- 制造商零件编号:
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 236nC | |
| 最大功耗 Pd | 694W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 8.2mm | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 17mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 236nC | ||
最大功耗 Pd 694W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 8.2mm | ||
高度 2.35mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 650 V CoolMOS CFD7A 是最新一代市场领先的汽车级高电压 CoolMOS MOSFET。新型 CoolMOS CFD7A 系列提供一体式快速二极管,可用于 PFC 和谐振开关技术。
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