Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=1400 V, 207 A, PG-TO247-4, 通孔安装, 4引脚, IMYR140R008M2HXLSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 762-946
- 制造商零件编号:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- 制造商:
- Infineon
N
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- 制造商零件编号:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 207A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1400V | |
| 包装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 203nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 710W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.9mm | |
| 宽度 | 16 mm | |
| 长度 | 23.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 207A | ||
最大漏源电压 Vd 1400V | ||
包装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 203nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 710W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.9mm | ||
宽度 16 mm | ||
长度 23.8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET的额定电压为1400 V,100°C时电流容量为147 A,接通电阻低至8.5 mΩ。它支持高热性能,并可耐受短路 2 μs。该设备设计具有强大的寄生导通保护功能和高爬电距离。
开关损耗极低
稳健的体二极管，适用于硬换向
宽电源引脚,具有高电流能力
电阻性可焊接引脚,用于直接连接母线