Infineon 半桥 N 沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=1200 V, 95 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, 22引脚, F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1, EasyPACK系列

N
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RS 库存编号:
762-951
制造商零件编号:
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET 模块

最大连续漏极电流 Id

95A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

EasyPACK

包装类型

EasyPACK

安装类型

螺钉接线端子

引脚数目

22

最大漏源电阻 Rd

8.3mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

20mW

最大栅源电压 Vgs

-23 V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.237μC

正向电压 Vf

5.35V

最高工作温度

175°C

晶体管配置

半桥

标准/认证

RoHS Compliant

长度

62.8mm

宽度

37.21 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK模块采用CoolSiC Trench MOSFET,额定电压为1200 V,电流能力最高可达75 A和150 A。它包含一个集成的NTC温度传感器和坚固的安装夹。此外,该封装显示比较跟踪指数 (CTI) 大于 600,并具有高电流引脚。

低电感设计

低开关损耗

高电流密度

PressFIT 接触技术