Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, 带装和卷装, 表面安装, 8引脚, IAUZN04S7L030ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 762-973
- 制造商零件编号:
- IAUZN04S7L030ATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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- RS 库存编号:
- 762-973
- 制造商零件编号:
- IAUZN04S7L030ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.05mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 正向电压 Vf | 0.95V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 2.29mm | |
| 宽度 | 2.29mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.05mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
正向电压 Vf 0.95V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 2.29mm | ||
宽度 2.29mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 汽车 MOSFET 功率晶体管是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型MOSFET。它可在高温条件下运行，结构坚固。超越 AEC-Q101 标准的扩展资格认证。
增强型电气测试
稳健设计
符合 RoHS 标准
100% 通过雪崩测试