Infineon 半桥 N 沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=750 V, 620 A, PG-TSON-12, 螺钉接线端子安装, 30引脚, FS01MR08A8MA2CHPSA1, HybridPACK系列
- RS 库存编号:
- 762-980
- 制造商零件编号:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- 制造商:
- Infineon
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-980
- 制造商零件编号:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET 模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 620A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | PG-TSON-12 | |
| 系列 | HybridPACK | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 引脚数目 | 30 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 6.73V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -23 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET 模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 620A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 PG-TSON-12 | ||
系列 HybridPACK | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
引脚数目 30 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 6.73V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5μC | ||
最大栅源电压 Vgs -23 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 半桥 | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon HybridPACK Drive G2模块采用碳化硅 (SiC) MOSFET,最大电压为750 V,额定电流为620 A。其设计具有低接通电阻、最小开关损耗和4.25 kV的强大绝缘能力。它专为高性能而设计,可保持高达200°C的工作温度。
紧凑型设计
高功率密度
直接冷却的PinFin基板
集成有温度传感二极管
PressFIT 接触技术
符合RoHS标准,无铅