Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 44 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC300N20NM6ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 762-982
- 制造商零件编号:
- ISC300N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-982
- 制造商零件编号:
- ISC300N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 44A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 宽度 | 5.35 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 44A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.2mm | ||
宽度 5.35 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款200 V N通道设备,专为高效电源应用而设计。它具有低导通电阻和最小反向恢复电荷 (Qrr)。此外,它还符合RoHS标准,无卤素,并根据J-STD-020标准分类为MSL 1。
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