制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=200 V, 44 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC300N20NM6ATMA1, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 762-982
制造商零件编号:: ISC300N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=200 V, 44 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC300N20NM6ATMA1, OptiMOS系列

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制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	44A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	30mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	136W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	宽度	5.35mm
	标准/认证	RoHS
	长度	6.1mm
	高度	1.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 44A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 30mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 136W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	宽度 5.35mm
	标准/认证 RoHS
	长度 6.1mm
	高度 1.2mm
	汽车标准否

Datasheet - ISC300N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款200 V N通道设备,专为高效电源应用而设计。它具有低导通电阻和最小反向恢复电荷 (Qrr)。此外,它还符合RoHS标准,无卤素,并根据J-STD-020标准分类为MSL 1。

100% 雪崩测试

175°C 工作温度

高雪崩能量等级

无铅引线镀层

Infineon N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 44 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC300N20NM6ATMA1, OptiMOS系列

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