Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 510 A, PG-TSON-12, 表面安装, 12引脚, IQFH61N06NM5ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 762-983
- 制造商零件编号:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-983
- 制造商零件编号:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 510A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TSON-12 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.61mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 190nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 8mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 510A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TSON-12 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.61mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 8mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 5Power-晶体管,60 V,针对低电压驱动器、电池供电和同步整流应用进行了优化。完全符合 JEDEC 工业应用标准。
100% 雪崩测试
卓越的耐热性
N通道
无铅引线镀层,符合RoHS标准