Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=510 A, 12针, PG-TSON-12, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
762-983
制造商零件编号:
IQFH61N06NM5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

510A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

OptiMOS

包装类型

PG-TSON-12

安装类型

表面

引脚数目

12

最大漏源电阻 Rd

0.61mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

190nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

300W

最高工作温度

175°C

长度

8mm

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS

宽度

6mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 5Power-晶体管,60 V,针对低电压驱动器、电池供电和同步整流应用进行了优化。完全符合 JEDEC 工业应用标准。

100% 雪崩测试

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