Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 394 A, PG-TSON-12, 表面安装, 12引脚, IQFH86N06NM5ATMA1, OptiMOS系列

N

此图片代表整个产品系列,仅供参考。

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥31.38

(不含税)

¥35.46

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年4月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 9RMB31.38
10 - 49RMB25.40
50 - 99RMB19.42
100 +RMB15.59

* 参考价格

RS 库存编号:
762-985
制造商零件编号:
IQFH86N06NM5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N 沟道

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

394A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PG-TSON-12

系列

OptiMOS

安装类型

表面安装

引脚数目

12

最大漏源电阻 Rd

0.86mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

137nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

250W

最高工作温度

175°C

长度

8mm

标准/认证

RoHS

高度

1.1mm

宽度

6 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 5Power-晶体管,60 V,针对低电压驱动器、电池供电和同步整流应用进行了优化。完全符合 JEDEC 工业应用标准。

100% 雪崩测试

卓越的耐热性

N通道

无铅引线镀层,符合RoHS标准