Infineon N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 394 A, PG-TSON-12, 表面安装, 12引脚, IQFH86N06NM5ATMA1, OptiMOS系列

N

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762-985
制造商零件编号:
IQFH86N06NM5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

394A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PG-TSON-12

系列

OptiMOS

安装类型

表面安装

引脚数目

12

最大漏源电阻 Rd

0.86mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

137nC

最大功耗 Pd

250W

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

长度

8mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 5Power-晶体管,60 V,针对低电压驱动器、电池供电和同步整流应用进行了优化。完全符合 JEDEC 工业应用标准。

100% 雪崩测试

卓越的耐热性

N通道

无铅引线镀层,符合RoHS标准