Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 125 A, PG-TO263-3, 表面安装, 3引脚, IPB018N03LF2SATMA1, StrongIRFET系列
- RS 库存编号:
- 762-987
- 制造商零件编号:
- IPB018N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-987
- 制造商零件编号:
- IPB018N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 125A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 15.88mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 125A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 StrongIRFET | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 15.88mm | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 10.67 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 功率晶体管是一款30 V N通道 MOSFET,适用于各种应用。它可在极端条件下运行,最高额定温度为175°C,并符合环保法规。
100% 雪崩测试
无铅镀层
符合 RoHS 标准
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准