制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=119 A, 3针, PG-TO263-3, StrongIRFET系列

RS 库存编号:: 762-990
制造商零件编号:: IPB023N03LF2SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=119 A, 3针, PG-TO263-3, StrongIRFET系列

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RS 库存编号:: 762-990
制造商零件编号:: IPB023N03LF2SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	119A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	StrongIRFET
	包装类型	PG-TO263-3
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.35mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	正向电压 Vf	1V
	最大功耗 Pd	107W
	最高工作温度	175°C
	高度	4.83mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	10.67mm
	长度	15.88mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 119A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 StrongIRFET
	包装类型 PG-TO263-3
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.35mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	正向电压 Vf 1V
	最大功耗 Pd 107W
	最高工作温度 175°C
	高度 4.83mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 10.67mm
	长度 15.88mm
	汽车标准否

Datasheet - IPB023N03LF2SATMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon StrongIRFET 2 功率晶体管是一款30 V N通道 MOSFET,适用于各种应用。它可在极端条件下运行,最高额定温度为175°C,并符合环保法规。

100% 雪崩测试

无铅镀层

符合 RoHS 标准

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准

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