onsemi N 沟道 增强模式型 小信号 MOSFET, Vds=30 V, 270 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, NTS4001NT1G, NTS4001N系列
- RS 库存编号:
- 765-284
- 制造商零件编号:
- NTS4001NT1G
- 制造商:
- onsemi
N
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- RS 库存编号:
- 765-284
- 制造商零件编号:
- NTS4001NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 小信号 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 270mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NTS4001N | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 最大功耗 Pd | 330mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.11mm | |
| 宽度 | 2.64mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 小信号 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 270mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NTS4001N | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
最大功耗 Pd 330mW | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.3nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.11mm | ||
宽度 2.64mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
onsemi MOSFET 专为低功耗应用的高效运行而设计，其卓越的性能特性为各类电子设备的创新提供了强大支持。这款单 N 沟道 MOSFET 采用紧凑型 SC-70 封装，以其低栅极电荷脱颖而出，既能实现快速开关能力，又能确保强大的 ESD 保护。该器件支持 30V 的最大漏源电压和 270mA 的连续漏极电流，非常适用于电池供电设备和降压转换器等应用场景。秉承可靠性设计理念，产品符合 AEC-Q101 标准且满足 RoHS 要求，彰显 onsemi 对可持续发展和品质的坚定承诺。
低栅极电荷有助于实现快速高效的开关
紧凑型封装尺寸比传统 TSOP-6 封装缩小 30%，有效节省电路板空间
ESD 防护功能增强器件使用寿命与性能可靠性
通过 AEC-Q101 认证，确保产品在汽车电子及高可靠性应用中的稳健性
无铅工艺且符合 RoHS 标准，满足环保规范要求
广泛适用于低侧负载开关及便携式电子设备等多元应用场景
支持 -55°C 至 150°C 的宽温工作范围，适应多样化的操作环境
采用简化封装布局设计，便于表面贴装集成