onsemi N型沟道 N型 单 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 表面安装, 3引脚, 2N7000BU, 2N700系列

N
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 盒,共 50 件)*

RMB55.10

(不含税)

RMB62.25

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年7月27日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Box*
50 - 450RMB1.102RMB55.10
500 - 2450RMB0.971RMB48.55
2500 - 4950RMB0.871RMB43.55
5000 +RMB0.749RMB37.45

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
765-295
制造商零件编号:
2N7000BU
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-92

系列

2N700

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

400mW

最高工作温度

150°C

宽度

5.2mm

高度

4.19mm

长度

20.95mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Onsemi N沟道增强型MOSFET专为在低压低电流应用中实现卓越的开关性能而设计。这款可靠的晶体管采用专有的高密度DMOS技术,可保持极低的导通电阻,适合多种应用,包括小型伺服电机控制和功率MOSFET栅极驱动器。它采用稳健设计,可支持高达400mA的持续DC电流和高达2A的脉冲电流,兼具耐用性和高效性,确保满足现代电子设计的需求。

快速切换时间提升了整体系统性能

专为提升感应式电路的耐用性而设计,确保在严苛条件下也能可靠运行

低输入电容,有助于实现更快的响应速度和更低的功耗

扩展了安全操作区域,可在各种条件下最大限度提升性能

高温可靠性有助于延长产品使用寿命

该设备不含铅,符合环保制造标准

高效热特性确保在各种环境中稳定运行

紧凑的TO-92封装,便于轻松集成到各种应用中