onsemi N型沟道 N型 单 MOSFET, Vds=25 V, 0.22 A, SOT-23-3, 表面安装, 3引脚, FDV301N, FDV3系列
- RS 库存编号:
- 765-307P
- 制造商零件编号:
- FDV301N
- 制造商:
- onsemi
N
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- RS 库存编号:
- 765-307P
- 制造商零件编号:
- FDV301N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | FDV3 | |
| 包装类型 | SOT-23-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 最大功耗 Pd | 0.35W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.22A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 FDV3 | ||
包装类型 SOT-23-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9Ω | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.49nC | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
最大功耗 Pd 0.35W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
Onsemi N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，专为低压应用设计。这款先进设备采用专有的G S DMOS技术，可实现极低的导通电阻，是替代多个数字晶体管的理想选择。它无需偏置电阻，通过为各种数字应用提供单一FET解决方案来简化电路设计，最终提升了电子设备的效率和可靠性。
支持0.22A的连续漏极电流，峰值电流为0.5A
在4.5V电压下，导通电阻仅4Ω，确保高效功率处理
专为在 3V电路中直接运行而设计，可无缝集成到低压系统中
能够取代多个NPN数字晶体管，简化设计中的元件数量
符合无铅无卤素标准，支持环保设计
热阻为357°C/W，确保在不同温度条件下性能可靠
最大漏源电压额定值为25V，可在各种应用中提供强大的功能
栅极阈值电压范围确保在整个工作频谱内性能一致