ROHM N沟道 MOSFET, Vds=40 V, 280 A, TO-263AB-3LSHYAD, 表面安装, 3引脚, RJ1G10BBGTL1

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RS 库存编号:
780-361
制造商零件编号:
RJ1G10BBGTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

280A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263AB-3LSHYAD

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.85mΩ

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

192W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

210nC

最大栅源电压 Vgs

10V

最高工作温度

150°C

高度

4.77mm

长度

10.36mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

8.9mm

汽车标准

ROHM功率MOSFET为汽车和工业电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为高电压应用而设计,确保在严苛的汽车环境中高效运行。

漏源电压为100V

连续漏极电流为12A

紧凑型DFN2020Y封装

汽车AEC-Q101认证