ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=60 V, 240 A, TO-263AB-3LSHYAD, 表面安装, 3引脚, RJ1L10BBGTL1

N
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包装方式:
RS 库存编号:
780-362P
制造商零件编号:
RJ1L10BBGTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

240A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263AB-3LSHYAD

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.41mΩ

最大功耗 Pd

192W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

160nC

最大栅源电压 Vgs

10V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

8.9mm

高度

4.77mm

长度

10.36mm

汽车标准

ROHM功率MOSFET为高电流电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款坚固耐用的设备专为电机驱动器和DC/DC转换器设计,确保在严苛的工业开关电路中实现卓越效率。

漏源电压为60V

连续漏极电流为105A

超低 1.85 mΩ 典型导通电阻

功耗高达 192 W