ROHM P-通道沟道 MOSFET, Vds=-40 V, 3 A, SOT-346T, 表面安装, 3引脚, RQ5L030ATTCL
- RS 库存编号:
- 780-363
- 制造商零件编号:
- RQ5L030ATTCL
- 制造商:
- ROHM
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 20 件）*
¥41.68
(不含税)
¥47.10
(含税)
新商品 - 立即预订
- 在 2026年5月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | RMB2.084 | RMB41.68 |
| 200 - 980 | RMB1.834 | RMB36.68 |
| 1000 + | RMB1.476 | RMB29.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-363
- 制造商零件编号:
- RQ5L030ATTCL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 包装类型 | SOT-346T | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
包装类型 SOT-346T | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.2nC | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM功率MOSFET为低压电源管理提供高性能P沟道开关。这款紧凑型设备专为高速运行而设计，确保在空间有限的布局中实现高效性能。
漏源电压为-60V
连续漏极电流为-3.0A
高速切换性能
紧凑型TSMT3表面贴装封装