ROHM P-通道沟道 MOSFET, Vds=-80 V, 7 A, HSMT, 表面安装, 8引脚, RQ3N025ATTB1

N
可享批量折扣

小计 200 件 (以卷装提供)*

RMB624.80

(不含税)

RMB706.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
新商品 - 立即预订
  • 2026年6月08日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
200 - 980RMB3.124
1000 +RMB2.521

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
780-367P
制造商零件编号:
RQ3N025ATTB1
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

-80V

包装类型

HSMT

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

14W

最高工作温度

150°C

长度

3.45mm

标准/认证

RoHS Compliant

高度

0.8mm

宽度

3.4mm

汽车标准

ROHM功率MOSFET为电机驱动和电源管理提供高性能P沟道开关。这款坚固耐用的设备专为高速运行而设计,确保在要求严苛的DC对DC转换器中实现高效性能。

漏源电压为-30V

连续漏极电流为-13A

高速切换性能

紧凑型TSMT6表面贴装封装