ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=40 V, 40 A, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7G04BBKFRATCB

N
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780-658
制造商零件编号:
RH7G04BBKFRATCB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN3333T8LSAB

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.8Ω

最大功耗 Pd

75W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

10V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26.8nC

最高工作温度

175°C

长度

3.4mm

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

3.4mm

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为汽车电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为高可靠性应用而设计,确保在严苛的汽车环境中高效运行。

漏源电压为40V

连续漏极电流为40A

典型导通电阻为3.1mΩ

功耗高达 75 W