ROHM N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 40 A, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7L04CBLFRATCB

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780-665
制造商零件编号:
RH7L04CBLFRATCB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

DFN3333T8LSAB

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

14.8Ω

最大栅源电压 Vgs

10V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.6nC

最大功耗 Pd

62W

最高工作温度

175°C

长度

3.4mm

高度

1.1mm

宽度

3.4mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为汽车电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为在温度高达 175°C 的严苛车辆系统中实现高功率效率和可靠性而设计。

漏源电压为60V

连续漏极电流为40A

低导通电阻,可将功耗降至最低

功耗高达 62 W