ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, HSMT, 表面安装, 8引脚, RQ3G120BKFRATCB

N
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RS 库存编号:
780-667
制造商零件编号:
RQ3G120BKFRATCB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSMT

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

10V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.5nC

最大功耗 Pd

40W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

3.1mm

长度

3.3mm

高度

0.9mm

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为汽车电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款坚固耐用的设备专为ADAS和信息娱乐系统设计,确保在高达150°C的高要求车辆环境中也能高效运行。

漏源电压为40V

连续漏极电流为12A

在10V电压下的典型导通电阻为17.4mΩ

功耗高达 40 W