ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=1700 V, 3.9 A, TO, 表面安装, 7引脚, SCT2H12NWBTL1
- RS 库存编号:
- 780-669P
- 制造商零件编号:
- SCT2H12NWBTL1
- 制造商:
- ROHM
N
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- 780-669P
- 制造商零件编号:
- SCT2H12NWBTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 包装类型 | TO | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 0V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.2mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.9A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
包装类型 TO | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
最大栅源电压 Vgs 0V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.2mm | ||
高度 4.5mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 15.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM碳化硅MOSFET为高压工业电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款先进的碳化硅设备专为辅助电源设计，相比传统硅元件，具有更出色的导热性能和更低的开关损耗。
漏源电压为1700V
连续漏极电流为3.9A
典型导通电阻为1.15Ω
功耗高达 39 W