ROHM N 沟道 MOSFET, Vds=100 V, 12 A, DFN2020Y7LSAA, 表面安装, 7引脚, RF9P120BLFRATCR

N
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780-678
制造商零件编号:
RF9P120BLFRATCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

DFN2020Y7LSAA

安装类型

表面安装

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

81Ω

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

10V

最大功耗 Pd

23W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.8nC

最高工作温度

150°C

宽度

2.1mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

2.1mm

高度

0.65mm

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为汽车和工业电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为高电压应用而设计,确保在严苛的汽车环境中高效运行。

漏源电压为100V

连续漏极电流为12A

紧凑型DFN2020Y表面贴装封装

通过裸露焊盘提升了散热性能