制造商编号

ROHM N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=27 A, 8针, HSMT

RS 库存编号:: 780-681
制造商零件编号:: RQ3P270BLFRATCB
制造商:: ROHM

N

ROHM N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=27 A, 8针, HSMT

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RS 库存编号:: 780-681
制造商零件编号:: RQ3P270BLFRATCB
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	HSMT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	38mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13.6nC
	最大功耗 Pd	69W
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.1mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	长度	3.3mm
	高度	0.9mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 HSMT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 38mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.6nC
	最大功耗 Pd 69W
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.1mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	长度 3.3mm
	高度 0.9mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - RQ3P270BLFRATCB

ROHM功率MOSFET为汽车和工业电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款坚固耐用的设备专为车载系统的高效运行而设计，确保在严苛的功率转换和开关电路中也能提供可靠的性能。

漏源电压为100V

连续漏极电流为27A

功耗高达 69 W

紧凑型HSMT8AG表面贴装封装

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