Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 52 A, TO-263-7L, 表面安装, 7引脚, MXPQ120A045SE-1GE3, MaxSiC系列

N
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790-411
制造商零件编号:
MXPQ120A045SE-1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

52A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-263-7L

系列

MaxSiC

安装类型

表面安装

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

45mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

268W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

82nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

4.9V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

长度

9.23mm

宽度

10.28mm

高度

4.5mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET 专为苛刻的电源应用而设计,兼具速度、可靠性和合规性。其先进的结构可确保高效性能,同时符合严格的汽车和环境标准。

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