Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 41 A, TO-263-7L, 表面安装, 7引脚, MXP120A063SE-T1GE3, MaxSiC系列
- RS 库存编号:
- 790-412
- 制造商零件编号:
- MXP120A063SE-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
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- MXP120A063SE-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 41A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-263-7L | |
| 系列 | MaxSiC | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 79mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 正向电压 Vf | 4.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 221W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.28mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 长度 | 9.23mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 41A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-263-7L | ||
系列 MaxSiC | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 79mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
正向电压 Vf 4.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 221W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.28mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.5mm | ||
长度 9.23mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay 高性能 N-Channel SiC MOSFET 专为在苛刻应用中实现高效电源管理而设计。它在处理高电压和确保可靠运行的能力方面表现出色。
快速开关速度可提升整体系统性能
短路耐受时间为 3 μs，确保故障期间的可靠性
栅源控制工作电压范围可优化灵活性
连续漏极电流能力支持稳健的能量传输