Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 31 A, TO-247AD, 表面安装, 4引脚, MXPQ120A080SL-GE3, MaxSiC系列

N
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RS 库存编号:
790-417
制造商零件编号:
MXPQ120A080SL-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

31A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

MaxSiC

包装类型

TO-247AD

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

22V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.7V

最大功耗 Pd

174W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

16.13mm

高度

5.21mm

长度

23.6mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 高性能 N-Channel SiC MOSFET 专为高效的电源开关应用而设计,可确保系统的卓越性能和可靠性。

快速开关速度可提升整体系统效率

短路耐受时间为 3 μs,提供强大的保护

通过 AEC-Q101 认证,适用于汽车应用,确保可靠性

低导通电阻可最大限度减少运行期间的功率损耗