制造商编号

Vishay N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=100 V, 95 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ112EP-T1_GE3, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 790-421
制造商零件编号:: SQJ112EP-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 MOSFET型汽车 MOSFET, Vds=100 V, 95 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ112EP-T1_GE3, TrenchFET系列

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制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	汽车 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	95A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PowerPAK SO-8L
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.0077Ω
	通道模式	MOSFET
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	185W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型汽车 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 95A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PowerPAK SO-8L
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.0077Ω
	通道模式 MOSFET
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 185W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ112EP-T1_GE3

COO (Country of Origin):: CN

这款Vishay汽车级N沟道MOSFET的额定电压为100V，专为在严苛应用中实现高效性能而设计，即使在高达175°C的极端温度下也能确保可靠运行。

TrenchFET Gen IV 技术可优化开关特性

通过AEC Q101认证，符合汽车级可靠性标准

100% 通过R 和 UIS 测试，更加耐用

在25°C下，连续漏极电流额定值为95A

在10V电压下导通电阻仅0.0077Ω

Vishay N沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=100 V, 95 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ112EP-T1_GE3, TrenchFET系列

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