制造商编号

Vishay N沟道汽车 MOSFET, Vds=200 V, Id=25 A, 8针, PowerPAK 8 x 8, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 790-426
制造商零件编号:: SQJQ190E-T1_GE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道汽车 MOSFET, Vds=200 V, Id=25 A, 8针, PowerPAK 8 x 8, TrenchFET系列

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500 - 1200	RMB31.689	RMB1,584.45
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5000 - 24950	RMB30.123	RMB1,506.15
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RS 库存编号:: 790-426
制造商零件编号:: SQJQ190E-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	汽车 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	25A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	PowerPAK 8 x 8
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.075Ω
	通道模式	MOSFET
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	38nC
	最大功耗 Pd	150W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型汽车 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 25A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 PowerPAK 8 x 8
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.075Ω
	通道模式 MOSFET
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC
	最大功耗 Pd 150W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJQ190E-T1_GE3

COO (Country of Origin):: DE

Vishay N沟道MOSFET为汽车应用提供强劲性能，设计用于高效处理高电流和高电压。其先进的结构确保在严苛环境中的可靠性。

额定漏源电压为200V

符合 AEC Q101 汽车标准

能够持续承受高达95A的电流

支持最高结温175°C

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