Vishay N沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=200 V, 25 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 8引脚, SQJQ190E-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 790-426
- 制造商零件编号:
- SQJQ190E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RMB48.883 | RMB2,444.15 |
| 500 - 1200 | RMB31.689 | RMB1,584.45 |
| 1250 - 4950 | RMB30.738 | RMB1,536.90 |
| 5000 - 24950 | RMB30.123 | RMB1,506.15 |
| 25000 + | RMB29.22 | RMB1,461.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-426
- 制造商零件编号:
- SQJQ190E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 汽车 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PowerPAK 8 x 8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 通道模式 | MOSFET | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 汽车 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PowerPAK 8 x 8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
通道模式 MOSFET | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N沟道MOSFET为汽车应用提供强劲性能，设计用于高效处理高电流和高电压。其先进的结构确保在严苛环境中的可靠性。
额定漏源电压为200V
符合 AEC Q101 汽车标准
能够持续承受高达95A的电流
支持最高结温175°C