Vishay P-通道沟道 MOSFET型 汽车 MOSFET, Vds=30 V, 47 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SQS135ELNW-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 790-427
- 制造商零件编号:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 卷，共 50 件）*
RMB3.45
(不含税)
RMB3.90
(含税)
新商品 - 立即预订
- 在 2026年11月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 50 - 1200 | RMB0.069 | RMB3.45 |
| 1250 - 4950 | RMB0.045 | RMB2.25 |
| 5000 + | RMB0.024 | RMB1.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-427
- 制造商零件编号:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | 汽车 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0205Ω | |
| 通道模式 | MOSFET | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大功耗 Pd | 84W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 汽车 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0205Ω | ||
通道模式 MOSFET | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大功耗 Pd 84W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN