Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 361 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIJK4810-T1-GE3, TrenchFET Gen IV系列

N

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RS 库存编号:
790-429
制造商零件编号:
SIJK4810-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

361A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0018Ω

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

160nC

最大功耗 Pd

446W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

10mm

长度

12mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N Channel MOSFET 专为在各种应用中实现高效电源管理而设计，采用先进的 TrenchFET Gen IV 技术，可减少传导损耗并提高整体性能。

可在高达 80 V 的漏源电压下运行

在 10 V 栅源电压下，提供 0.0018 Ω 的低接通电阻

额定连续漏极电流为 361 A

采用 Kelvin 源连接，可最大程度减少栅极噪声

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