STMicroelectronics N 沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=100 V, 292 A, H2PAK, 通孔安装, 3引脚, STH280N10F8-6, STH280N10F8-6系列
- RS 库存编号:
- 800-458
- 制造商零件编号:
- STH280N10F8-6
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB22.46 |
| 10 - 24 | RMB21.77 |
| 25 - 99 | RMB21.38 |
| 100 - 499 | RMB18.14 |
| 500 + | RMB17.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-458
- 制造商零件编号:
- STH280N10F8-6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 292A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | STH280N10F8-6 | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 4V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 177nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 15.8mm | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | ECOPACK | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 292A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 STH280N10F8-6 | ||
包装类型 H2PAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 4V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 177nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 15.8mm | ||
宽度 4.7mm | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 ECOPACK | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 100 V N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅结构。
最高工作结温 175℃
100% 雪崩测试
出色的 FoM（品质因数）