STMicroelectronics N 沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=1200 V, 6 A, H2PAK-2, 通孔安装, 3引脚, STH8N120K5-2AG, STH285N10F8-6AG系列
- RS 库存编号:
- 800-461
- 制造商零件编号:
- STH8N120K5-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-461
- 制造商零件编号:
- STH8N120K5-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | STH285N10F8-6AG | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.65mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 165W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | ECOPACK | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 15.8mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 STH285N10F8-6AG | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.65mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 165W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 ECOPACK | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 15.8mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 采用 MDmesh K5 技术设计，基于创新型的专有垂直结构。从而实现了同类最佳的单位面积导通电阻，不仅大幅降低了损耗，更凭借极低的栅极电荷，完美满足了应用场景对卓越功率密度与高效率的严苛要求。
AEC-Q101 认证
业界最低 RDS(on) x 面积
业界最佳 FoM (优势指数)
超低栅极电荷
100% 雪崩测试
齐纳保护