STMicroelectronics N 沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 58 A, PG-TO-247, 通孔安装, 4引脚, STW65N040M9-4, STH285N10F8-6AG系列
- RS 库存编号:
- 800-466
- 制造商零件编号:
- STW65N040M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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- RS 库存编号:
- 800-466
- 制造商零件编号:
- STW65N040M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO-247 | |
| 系列 | STH285N10F8-6AG | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 37mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 321W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | ECOPACK | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO-247 | ||
系列 STH285N10F8-6AG | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 37mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 321W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 ECOPACK | ||
长度 15.9mm | ||
宽度 5.1mm | ||
高度 21.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 基于极具创新性的超结 MDmesh M9 技术，适用于中/高电压 MOSFET，每个区域的 RDS (接通) 都极低。
FOM (RDS(on)·Qg) 非常低
dv/dt 性能更高
出色的开关性能
易于驱动
100% 雪崩测试
得益于额外的驱动源引脚，具备卓越的开关性能