Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=80 V, 33.7 A, P, 表面安装, 8引脚, SISS128LDN-T1-UE3, SISS系列
- RS 库存编号:
- 829-346
- 制造商零件编号:
- SISS128LDN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB8.34 |
| 25 - 99 | RMB5.49 |
| 100 - 499 | RMB3.24 |
| 500 - 999 | RMB3.14 |
| 1000 + | RMB3.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-346
- 制造商零件编号:
- SISS128LDN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SISS | |
| 包装类型 | P | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0156Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 33.7A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SISS | ||
包装类型 P | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0156Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 3.30mm | ||
长度 3.30mm | ||
高度 1.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay高性能N沟道MOSFET专为高效电源管理而设计，采用紧凑型封装，确保在各种严苛应用中稳定运行。
TrenchFET第四代技术实现了更高的效率和热性能
低导通电阻（RDS(on)）值，优化了运行期间的传导损耗
经 100% R 和 UIS 应力单元测试，可靠性高
强大的规格，具有80V漏源电压额定值和33.7A的最大电流