Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P04-13L_NE3, SQD系列
- RS 库存编号:
- 829-350
- 制造商零件编号:
- SQD50P04-13L_NE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB13.04 |
| 10 - 24 | RMB8.43 |
| 25 - 99 | RMB5.00 |
| 100 - 499 | RMB4.90 |
| 500 + | RMB4.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-350
- 制造商零件编号:
- SQD50P04-13L_NE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SQD | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.013Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.30mm | |
| 长度 | 6.10mm | |
| 宽度 | 6.50mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SQD | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.013Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.30mm | ||
长度 6.10mm | ||
宽度 6.50mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
Vishay功率MOSFET具备高性能开关特性，专为汽车应用设计，在严苛条件下确保可靠性和高效运行。
TrenchFET技术提升了电源效率
低热阻可实现高效热管理
通过严格的AEC-Q101认证，确保卓越性能表现
100%通过Rg和UIS测试，确可靠保运行