Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJ766EP-T1_GE3, SQJ系列
- RS 库存编号:
- 829-354
- 制造商零件编号:
- SQJ766EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB16.73 |
| 10 - 24 | RMB10.82 |
| 25 - 99 | RMB10.50 |
| 100 - 499 | RMB10.29 |
| 500 + | RMB9.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-354
- 制造商零件编号:
- SQJ766EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | P | |
| 系列 | SQJ | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0046Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 93W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 4.90mm | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 P | ||
系列 SQJ | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0046Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 93W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.15mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 4.90mm | ||
高度 1.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay高性能汽车级双N沟道MOSFET专为严苛应用而设计。它在各种电子系统中提供强大的效率和可靠性。
TrenchFET第四代技术确保高效性能
符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用
100% 经过R和UIS测试，确保可靠性
低导通电阻可减少能耗