Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=-40 V, -120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SQM120P04-04L_NE3, SQM系列
- RS 库存编号:
- 829-358
- 制造商零件编号:
- SQM120P04-04L_NE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB37.47 |
| 10 - 49 | RMB23.24 |
| 50 - 99 | RMB14.12 |
| 100 + | RMB13.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-358
- 制造商零件编号:
- SQM120P04-04L_NE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -120A | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 系列 | SQM | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.004Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 220nC | |
| 正向电压 Vf | -1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 10.41mm | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -120A | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
系列 SQM | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.004Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 220nC | ||
正向电压 Vf -1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 10.41mm | ||
长度 9.65mm | ||
高度 4.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
Vishay高性能汽车P沟道MOSFET专为在严苛工况下运行而设计，可在各类应用中提供可靠的性能表现。其坚固的结构确保在电路中的耐用性和高效表现。
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准
在-10V栅源电压下具备低导通电阻
符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用
低导热阻设计，散热性能更出色