Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SI3410BDV-T1-GE3, SI系列
- RS 库存编号:
- 829-360
- 制造商零件编号:
- SI3410BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB1.67
(不含税)
RMB1.89
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB1.67 |
| 25 - 99 | RMB1.08 |
| 100 - 499 | RMB0.69 |
| 500 + | RMB0.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-360
- 制造商零件编号:
- SI3410BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 系列 | SI | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0192Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大功耗 Pd | 3.3W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 1.70mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
系列 SI | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0192Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大功耗 Pd 3.3W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
长度 3mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 1.70mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay高性能N沟道MOSFET专为在电子电路中实现高效负载管理而设计。它的最大漏源电压为30V，可优化各种应用中的功耗。
提供最大6A的连续漏极电流，确保负载下的可靠性
在10V电压下具有0.0192Ω的低导通电阻，有助于提高能效
采用紧凑型TSOP-6封装，便于集成到空间受限的设计中
采用先进的TrenchFET技术，提升了开关性能