Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, TSOP-6, 表面安装, 8引脚, SI7804BDN-T1-GE3, SI系列
- RS 库存编号:
- 829-361
- 制造商零件编号:
- SI7804BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 829-361
- 制造商零件编号:
- SI7804BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 系列 | SI | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0192Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 19.9W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
系列 SI | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0192Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 19.9W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.30mm | ||
宽度 3.30mm | ||
高度 1.07mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
这款Vishay高性能N沟道MOSFET专为高效DC/DC转换和系统电源应用而设计，确保在指定电压限值内可靠运行。
TrenchFET第三代技术提升了效率和性能
保证100% R 测试，确保高可靠性
材料按合规性分类，支持环保法规
最大连续漏极电流6A，提升了通用性