STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=80 V, 220 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL190N8F8
- RS 库存编号:
- 834-676
- 制造商零件编号:
- STL190N8F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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RMB35,169.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 834-676
- 制造商零件编号:
- STL190N8F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 220A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | ROHS | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 220A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.6mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 ROHS | ||
宽度 5mm | ||
高度 1mm | ||
长度 6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- SG
STMicroelectronics N 通道电源 MOSFET 专为在各种电源应用中实现高性能而设计。它具有坚固的规格，适用于紧凑型封装中的高电流需求。
最大漏-源电压为 80 V，确保运行可靠性
4.5 mΩ 的低导通电阻可提高能效
高达 126 A 的连续漏极电流额定值支持要求严苛的设计
经过优化，最高接点温度为 175°C，更加耐用
雪崩测试设计确保在故障条件下的稳健性