制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=220 A, 8针, PowerFLAT

RS 库存编号:: 834-676
制造商零件编号:: STL190N8F8
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=220 A, 8针, PowerFLAT

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小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB36,096.00

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单位	每单位	每卷*
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RS 库存编号:: 834-676
制造商零件编号:: STL190N8F8
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	220A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	PowerFLAT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.6mΩ
	通道模式	增强模式
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	高度	1mm
	长度	6mm
	宽度	5mm
	标准/认证	ROHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 220A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 PowerFLAT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.6mΩ
	通道模式增强模式
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	高度 1mm
	长度 6mm
	宽度 5mm
	标准/认证 ROHS
	汽车标准否

Datasheet - STL190N8F8

COO (Country of Origin):: SG

STMicroelectronics N 通道电源 MOSFET 专为在各种电源应用中实现高性能而设计。它具有坚固的规格，适用于紧凑型封装中的高电流需求。

最大漏-源电压为 80 V，确保运行可靠性

4.5 mΩ 的低导通电阻可提高能效

高达 126 A 的连续漏极电流额定值支持要求严苛的设计

经过优化，最高接点温度为 175°C，更加耐用

雪崩测试设计确保在故障条件下的稳健性

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=220 A, 8针, PowerFLAT

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