onsemi P-通道沟道 MOSFET, Vds=20 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, FDN340P, FDN系列
- RS 库存编号:
- 838-639P
- 制造商零件编号:
- FDN340P
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 838-639P
- 制造商零件编号:
- FDN340P
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | FDN | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.4mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 FDN | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.2nC | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1.4mm | ||
宽度 1.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Onsemi P沟道MOSFET专为高效开关应用设计，具有低导通电阻和低栅极电荷特性。该设备在便携式电子产品的电源管理和负载切换方面表现出色。
可处理2A电流，最大额定电压为20V
采用先进技术，可在多种栅极电压下实现低导通电阻
采用SOT-23封装设计，具备高功率处理能力，提升了散热性能
无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，确保符合环保标准