onsemi N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=310 mA, 3针, SOT-23
- RS 库存编号:
- 838-682P
- 制造商零件编号:
- 2N7002ET7G
- 制造商:
- onsemi
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 838-682P
- 制造商零件编号:
- 2N7002ET7G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 310mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 0.42W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 310mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.81nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 0.42W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Onsemi小信号MOSFET专为低侧负载开关应用而设计。该组件采用紧凑型SOT-23封装，非常适合空间受限的设计，同时提供可靠的性能。
低导通电阻（R DS(on)）确保高效电源管理
沟槽技术提升了开关效率
通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用
无铅且符合RoHS标准，助力环境可持续发展
可在高达260°C的铅温下操作，适用于多种焊接需求