STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=250 V, 56 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB25N018M9, STB Series系列
- RS 库存编号:
- 839-144
- 制造商零件编号:
- STB25N018M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB25.40 |
| 10 - 24 | RMB22.36 |
| 25 - 99 | RMB20.11 |
| 100 - 499 | RMB17.26 |
| 500 + | RMB14.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 839-144
- 制造商零件编号:
- STB25N018M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 56A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 系列 | STB Series | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 320W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 标准/认证 | ROHS | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 宽度 | 10mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 56A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
系列 STB Series | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 320W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.5mm | ||
标准/认证 ROHS | ||
长度 10.3mm | ||
宽度 10mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics功率MOSFET是一款基于先进MDmesh M9技术构建的N沟道超级结组件。它可以在不影响散热能力的情况下实现更小更紧凑的布局。
D2PAK表面贴装组件封装样式
硅基多漏极制造工艺
低栅极电荷，效率卓越
增强的dv/dt能力和雪崩测试