制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=56 A, 3针, TO-263, STB Series系列

RS 库存编号:: 839-144
制造商零件编号:: STB25N018M9
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=56 A, 3针, TO-263, STB Series系列

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RS 库存编号:: 839-144
制造商零件编号:: STB25N018M9
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	56A
	最大漏源电压 Vd	250V
	系列	STB Series
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	18mΩ
	通道模式	增强模式
	正向电压 Vf	1.6V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	85nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	320W
	最高工作温度	150°C
	高度	4.5mm
	长度	10.3mm
	标准/认证	ROHS
	宽度	10mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 56A
	最大漏源电压 Vd 250V
	系列 STB Series
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 18mΩ
	通道模式增强模式
	正向电压 Vf 1.6V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 320W
	最高工作温度 150°C
	高度 4.5mm
	长度 10.3mm
	标准/认证 ROHS
	宽度 10mm
	汽车标准否

Datasheet - STB25N018M9

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics功率MOSFET是一款基于先进MDmesh M9技术构建的N沟道超级结组件。它可以在不影响散热能力的情况下实现更小更紧凑的布局。

D2PAK表面贴装组件封装样式

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低栅极电荷，效率卓越

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STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=56 A, 3针, TO-263, STB Series系列

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