Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=80 V, 352 A, PowerPAK (8x8LR), 表面安装, 8引脚, SQJQ580ER-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 847-933
- 制造商零件编号:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 847-933
- 制造商零件编号:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 352A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8LR) | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00144Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 93nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 8mm | |
| 高度 | 1.60mm | |
| 宽度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS3 Compliant | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 352A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK (8x8LR) | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00144Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 8mm | ||
高度 1.60mm | ||
宽度 8mm | ||
标准/认证 RoHS3 Compliant | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay汽车级N沟道功率MOSFET可为多种严苛应用提供高效高性能开关控制，确保在极端工况下稳定可靠运行。
TrenchFET第五代技术确保效率和性能全面提升
通过AEC-Q101认证，适合汽车应用，确保符合行业标准
标准条件下，连续漏极电流额定值为352A
1.9mm超薄设计，大幅提升了空间利用率
100% 通过 R和UIS 测试，确保可靠运行