Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=36 A, 4针, TO-247AD, MXP120A系列
- RS 库存编号:
- 847-940
- 制造商零件编号:
- MXP120A160SL-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB67.87 |
| 10 - 49 | RMB42.08 |
| 50 - 99 | RMB25.50 |
| 100 + | RMB24.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 847-940
- 制造商零件编号:
- MXP120A160SL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | MXP120A | |
| 包装类型 | TO-247AD | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 正向电压 Vf | 4.7V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 109W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 16.13mm | |
| 长度 | 23.6mm | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 MXP120A | ||
包装类型 TO-247AD | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
正向电压 Vf 4.7V | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 109W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 16.13mm | ||
长度 23.6mm | ||
高度 5.21mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 沟道 SiC MOSFET 提供高效率和快速性能，使其非常适合电源管理和能量控制系统中的严苛应用。
快速开关速度可优化整体系统性能
2.5 μs 的短路耐受时间提高了可靠性
1200V 的最大漏源电压额定值确保了稳健运行
18 A 的连续漏电流额定值支持广泛的操作要求
160 mΩ 的最小导通电阻减少了能量损耗