Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=61 A, 4针, TO-247AD, MXP120A系列

N
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847-941
制造商零件编号:
MXP120A250SE-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

61A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247AD

系列

MXP120A

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

22V

最大功耗 Pd

109W

正向电压 Vf

4.7V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最高工作温度

175°C

高度

5.21mm

标准/认证

RoHS

宽度

16.13mm

长度

23.6mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 高性能 N 沟道 MOSFET 专为高效开关应用设计,确保在严苛环境中可靠运行。

快速开关速度可提升系统效率

2.5 μs 的短路耐受时间可提高设备可靠性

85W 的最大功耗可支持高性能应用

1200 V 的漏源电压能力提供了稳健运行

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